株式会社 東芝のリリース一覧

【東芝】有機半導体を用いたフィルム型光センサーによる放射線のパルス検出に世界で初めて成功

~薄型、軽量、広範囲測定等の特長を活かし工業用、医療用などにも応用~
当社は、人の検知、体温の測定、物体までの距離の測定、放射線の計測などさまざまな用途に使用される光センサーにおいて、柔軟・軽量といった特徴をもち大面積化が可能な有機半導体を用いた、高感度のフィルム型光センサーを開発しました。従来、有機半導体では実現が難しかった微弱な光の検出を可能とし、放射線によ...

【東芝】第7回アフリカ開発会議(TICAD7)においてアフリカにおけるビジネスを提案

公式サイドイベント「日本・アフリカビジネスEXPO」と「STS Forum 日・アフリカ ワークショップ」に参加
株式会社東芝 東芝エネルギーシステムズ株式会社  株式会社東芝と東芝エネルギーシステムズ株式会社は、8月28日から30日にかけてパシフィコ横浜で開催される第7回アフリカ開発会議(TICAD7)に参加し、東芝グループのアフリカ諸国における事業および人材育成を含む技術貢献活動の実績を紹...

【東芝】AIを活用した糖尿病性腎症重症化予防の共同研究を開始

~日本人に最適な予防法を開発しQOL向上に貢献~
 国立大学法人金沢大学(石川県金沢市 以下,金沢大学)医薬保健研究域医学系の和田 隆志教授らの研究グループと,株式会社東芝(本社:東京都港区,代表執行役社長:綱川 智 以下,東芝),東芝デジタルソリューションズ株式会社(本社:神奈川県川崎市,取締役社長:錦織 弘信 以下,東芝デジタルソリューシ...

【東芝】東芝独自のAIを活用した高精度な太陽光発電量予測技術を開発

「太陽光発電量予測技術コンテスト『PV in HOKKAIDO』」にてグランプリを受賞
 当社はこの度、太陽光発電量を予測する技術において、当社独自のAIを活用した高精度な予測技術を開発しました。本技術では当社独自の気象予測システムから得られる様々なデータを活用するとともに、太陽光発電設備の性能や設置条件が不明な場合でも過去の同設備の発電実績をもとにAIで性能や設置条件を推定し、...

【東芝】透過型亜酸化銅(Cu2O)を用いたタンデム型太陽電池の発電効率の向上について

-低コストで高効率なタンデム型太陽電池の実現に向けてSi単体を超える23.8%の発電効率を達成-
 当社は、当社が開発した透過型亜酸化銅(Cu2O)を用いた低コストなタンデム型太陽電池において、現在広く普及している結晶シリコン(Si)太陽電池単体での発電効率を上回る効率の実証に成功しました。今後、蓄電池と組み合わせた自家発電システム、地域毎の分散電源、これらを統合し電力需給バランスを調整す...

【東芝】消費電力を64%削減した無線基地局向け高効率パワーアンプを開発

~ 世界最高レベルの電力効率で5G基地局の低消費電力化に貢献 ~
 当社は、無線基地局向けに、消費電力を従来から64%削減した世界最高レベルの電力効率の高効率パワーアンプを開発しました。  無線基地局向けパワーアンプは、無線基地局から携帯電話などの端末に送信される無線信号を増幅する装置で、消費電力が大きく、無線基地局全体の消費電力の増加の主な要因となっ...

【東芝】日野自動車新型車両の二次電池SCiBTMの採用について

 当社の二次電池「SCiB™」が、日野自動車株式会社(以下、日野自動車)「日野プロフィア ハイブリッド」に搭載されるバッテリーとして採用されました。  新型「日野プロフィア ハイブリッド」は、大型トラック用ハイブリッドシステムとして、下り勾配などでの大きな運動エネルギーを高効...

【東芝】脳の空間認知機能を小型の脳型AIハードウェアで再現

小型ロボット等への実装を可能とし、空間認知機能を備えた自律走行の実現へ
当社はジョンズホプキンス大学と共同で、世界で初めて、脳内で空間認知をつかさどる海馬の機能の一部を小型な脳型AIハードウェアで模倣・再現させることに成功しました。今後、高い空間認知能力が求められるインフラ点検向け自律移動型ロボット等の小型化に向けた活用が期待できます。また、今回の成果をさらに発展...

【東芝】マツダ新型車両の二次電池SCiBTMの採用について

 当社の二次電池「SCiBTM」が、マツダ株式会社(以下、マツダ)「MAZDA3」のマイルドハイブリッドシステム「M Hybrid(エムハイブリッド)」用バッテリーとして採用されました。  「MAZDA3」のマイルドハイブリッドシステム「M Hybrid(エムハイブリッド)」は、効率的な...

【東芝】SiC-MOSFETの抵抗を低減するゲート絶縁膜プロセス技術の実デバイスへの適用に成功

~電力消費量およびCO2排出量の低減に貢献する次世代パワーデバイス技術の開発が前進~
 当社は、次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるSiC-MOSFET向けに開発してきたゲート絶縁膜プロセス技術をさらに発展させ、今回、実際の縦型デバイスに適用した結果、従来技術と比較して、チャネル領域の抵抗を約40%低減することに成功しました。本技術を将来的に実用化することで、自動車、鉄...

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